Číslo produktu výrobce:
TSM150NB04LCV RGG
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TSM150NB04LCV RGG-DG
Popis:
40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 8A (Ta), 36A (Tc) 1.9W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
Inventář:
9948 Ks Nový Originál Skladem
13002601
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TSM150NB04LCV RGG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Ta), 36A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
15mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1013 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.9W (Ta), 39W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PDFN (3.15x3.1)
Balení / pouzdro
8-PowerWDFN
Základní číslo výrobku
TSM150
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
1801-TSM150NB04LCVRGGTR
1801-TSM150NB04LCVRGGCT
1801-TSM150NB04LCVRGGDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPD028N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V
IAUTN06S5N008TATMA1
MOSFET_)40V 60V)
DMT12H060LCA9-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
